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PEMB1,115 |
SOT-563，SOT-666 | NXP Semiconductors | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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PEMB1,115参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS PNP/PNP 50V 100MA SOT666 包装数量：4000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：22k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：22k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 5mA，5V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：1µA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：300mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 矩形C3AES-2006M-ND 矩形M2MXH-1636J 通孔电阻器CMF203R3000JNR6 DC DC ConVE-B52-MY-F2 固定式VLS2012ET-1R0N PMIC - 稳压LA5779-E 存储器AT24C08BN-SH-T 线槽，走线系统 -FLB58X20 Card EdgeHCC35DRES-S734 单二极管/齐纳DDZ39F-7 |
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